| 主权项 |
一种强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，包括：提供一基材，该基材具有一特征层位于该基材之上，一底部抗反射层位于该特征层之上，以及一光阻层位于该底部抗反射层之上；将该光阻层暴露于一紫外光辐射之中，并将该光阻层显影，藉以在该光阻层之中形成一光阻罩幕以及复数个光阻罩幕侧壁条痕；使该光阻罩幕暴露于一第一光阻强化电浆中，其中该第一光阻强化电浆消除部份之该些光阻罩幕侧壁条痕；在一独立蚀刻步骤中，蚀穿该底部抗反射层；在蚀穿该底部抗反射层后，将该光阻罩幕暴露于一第二光阻强化电浆之中，其中该第二光阻强化电浆更使复数个侧壁平滑并消除该些光阻罩幕侧壁条痕；以及根据该光阻罩幕蚀刻该特征层。如申请专利范围第1项所述之强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，其中将该光阻罩幕暴露于该第一光阻强化电浆以及将该光阻罩幕暴露于该第二光阻强化电浆中的步骤之至少一者的条件包括，在一压力实质介于50 mTorr至80mTorr，一源极电力实质介于300W至1200W，一氩气流量实质介于50 sccm至480sccm之间，以及一电浆暴露时间系实质介于15秒至60秒之间。如申请专利范围第1项所述之强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，其中该紫外光辐射具有实质小于193nm之一波长。如申请专利范围第1项所述之强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，其中将该光阻罩幕暴露于该第一光阻强化电浆以及将该光阻罩幕暴露于该第二光阻强化电浆中的步骤之至少一者包括，采用实质小于50W的一偏压电力到达该基材上。如申请专利范围第1项所述之强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，其中该第一光阻强化电浆以及该第二光阻强化电浆该第一光阻强化电浆以及该第二光阻强化电浆系选自于由一溴化氢电浆以及一氩气电浆所组成之一族群。如申请专利范围第1项所述之强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，其中该第一光阻强化电浆为一氩气电浆，以及该第二光阻强化电浆为一溴化氢电浆。如申请专利范围第1项所述之强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，其中该第一光阻强化电浆以及该第二光阻强化电浆之至少一者包括一溴化氢电浆以及一氩气电浆以外的一电浆。一种强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，包括：提供一基材，该基材具有一特征层位于该基材之上，一底部抗反射层位于该特征层之上，以及一光阻层位于该底部抗反射层之上；将该光阻层暴露于一紫外光辐射之中，并将该光阻层显影，藉以在该光阻层之中形成一光阻罩幕以及复数个光阻罩幕侧壁条痕；进行一第一电浆暴露步骤，将该光阻罩幕暴露于一光阻强化电浆之中，其中该第一光阻强化电浆消除部份之该些光阻罩幕侧壁条痕，且该第一光阻强化电浆包括氩气电浆；在一独立蚀刻步骤中，蚀穿该底部抗反射层；在蚀穿该底部抗反射层后，进行一第二电浆暴露步骤，将该光阻罩幕暴露于该光阻强化电浆之中，以蚀穿该底部抗反射层，其中该第二光阻强化电浆更使复数个侧壁平滑并消除该些光阻罩幕侧壁条痕；以及根据该光阻罩幕蚀刻该特征层。如申请专利范围第8项所述之强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，其中该紫外光辐射具有实质小于193nm之一波长。如申请专利范围第8项所述之强化并增进一光阻罩幕之选择性的方法，其中将该光阻罩幕暴露于该第一光阻强化电浆以及将该光阻罩幕暴露于该第二光阻强化电浆中的步骤之至少一者的条件包括，在一压力实质介于50 mTorr至80mTorr，一源极电力实质介于300W至1200W，一氩气流量实质介于50 sccm至480sccm之间，以及一电浆暴露时间系实质介于15秒至60秒之间。 |
