| 主权项 |
一种半导体装置用带载体，其特征为：包含电性连接复数个配置于表面之布线图案与半导体元件之突起电极，并以绝缘性树脂密封而成为半导体装置之薄膜绝缘带者，且在前述绝缘带之搬运方向之前述半导体装置之外形尺寸系大于为了搬运前述绝缘带而开口之链齿孔之间距间隔之整数倍X间距(X＝1、2、3、4、5、．．．)，而且为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)以下；将前述半导体装置1元件之带间距设定为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)，削减与前述半导体装置之外形尺寸无关之前述绝缘带之无形区域。如请求项1之半导体装置用带载体，其中前述半导体装置为COF或TCP。如请求项2之半导体装置用带载体，其中在前述布线图案之设计面缩小在前述绝缘带之搬运方向之前述半导体装置之外形尺寸时，同时进行小数Y间距(0<Y<1)化，且将前述COF或TCP半导体装置用带载体之带间距设定为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)。如请求项1之半导体装置用带载体，其中小数Y为0.05之整数倍(1、2、3、4、5、．．．)。一种半导体装置之制造方法，其特征为：由半导体装置用带载体制造半导体装置者，该半导体装置用带载体包含电性连接复数个配置于表面之布线图案与半导体元件之突起电极，并以绝缘性树脂密封而成为半导体装置之薄膜绝缘带，且在前述绝缘带之搬运方向之前述半导体装置之外形尺寸大于为了搬运前述绝缘带而开口之链齿孔之间距间隔之整数倍X间距(X＝1、2、3、4、5、．．．)，而且为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)以下，并将前述半导体装置1元件之带间距设定为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)，削减与前述半导体装置之外形尺寸无关之前述绝缘带之无形区域；以小数Z间距(0<Z<1、Z＝0.05之整数倍)实施前述半导体元件之安装、树脂密封、测试及其他组装步骤中之搬运间距，而制造将带间距设定为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)之前述半导体装置。如请求项5之半导体装置之制造方法，其中变更软体或搬运机构，以便可以小数Z间距(0<Z<1、Z＝0.05之整数倍)实施制造设备之搬运间距。一种半导体装置之制造方法，其特征为：由半导体装置用带载体制造半导体装置者，该半导体装置用带载体包含电性连接复数个配置于表面之布线图案与半导体元件之突起电极，并以绝缘性树脂密封而成为半导体装置之薄膜绝缘带，且在前述绝缘带之搬运方向之前述半导体装置之外形尺寸大于为了搬运前述绝缘带而开口之链齿孔之间距间隔之整数倍X间距(X＝1、2、3、4、5、．．．)，而且为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)以下，并将前述半导体装置1元件之带间距设定为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)，削减与前述半导体装置之外形尺寸无关之前述绝缘带之无形区域；前述半导体元件之安装、树脂密封、测试及其他组装步骤系同时处理复数个前述半导体装置，前述半导体装置之制品处理间距成为整数倍。如请求项7之半导体装置之制造方法，其中使用保有复数个处理前述半导体装置之处理机构之制造设备来同时处理复数个半导体装置。一种半导体装置之制造方法，其特征为：由半导体装置用带载体制造半导体装置者，该半导体装置用带载体包含电性连接复数个配置于表面之布线图案与半导体元件之突起电极，并以绝缘性树脂密封而成为半导体装置之薄膜绝缘带，且在前述绝缘带之搬运方向之前述半导体装置之外形尺寸大于为了搬运前述绝缘带而开口之链齿孔之间距间隔之整数倍X间距(X＝1、2、3、4、5、．．．)，而且为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)以下，并将前述半导体装置1元件之带间距设定为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)，削减与前述半导体装置之外形尺寸无关之前述绝缘带之无形区域；来自前述半导体装置之前述绝缘带之冲孔步骤，系同时将复数个前述半导体装置进行冲孔之步骤；前述半导体装置之制品冲孔之外形及搬运间距成为前述链齿孔之前述间距间隔之整数倍。如请求项9之半导体装置之制造方法，其中藉由1组之冲孔模具，将复数个前述半导体装置同时进行冲孔。一种半导体装置，其使用半导体装置用带载体所制造，该半导体装置用带载体包含电性连接复数个配置于表面之布线图案与半导体元件之突起电极，并以绝缘性树脂密封而成为半导体装置之薄膜绝缘带，且在前述绝缘带之搬运方向之前述半导体装置之外形尺寸大于为了搬运前述绝缘带而开口之链齿孔之间距间隔之整数倍X间距(X＝1、2、3、4、5、．．．)，而且为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)以下，并将前述半导体装置1元件之带间距设定为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)，削减与前述半导体装置之外形尺寸无关之前述绝缘带之无形区域。一种半导体模组装置，其使用半导体装置所制造，而该半导体装置系使用半导体装置用带载体所制造者，该半导体装置用带载体包含电性连接复数个配置于表面之布线图案与半导体元件之突起电极，并以绝缘性树脂密封而成为半导体装置之薄膜绝缘带，且在前述绝缘带之搬运方向之前述半导体装置之外形尺寸大于为了搬运前述绝缘带而开口之链齿孔之间距间隔之整数倍X间距(X＝1、2、3、4、5、．．．)，而且为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)以下，并将前述半导体装置1元件之带间距设定为整数倍X＋小数Y间距(0<Y<1)，削减与前述半导体装置之外形尺寸无关之前述绝缘带之无形区域。一种半导体装置用带载体，其特征为包括：在表面配置有复数个布线图案之薄膜绝缘带；半导体元件；及将该半导体元件在电性连接于前述布线图案上之状态下予以密封之绝缘性树脂；藉由密封前述半导体元件与前述布线图案而形成半导体装置，且于长度方向以一定间隔形成用以搬运前述绝缘带之复数个链齿孔者；且在前述半导体装置用带载体之长度方向之各半导体装置之外形宽度大于前述链齿孔之形成间隔之X倍(X系自然数)，而且为前述链齿孔之形成间隔之X＋Y倍(0<Y<1)以下时，将前述布线图案之配置间隔设定为前述链齿孔之形成间隔之X＋Y倍。如请求项13之半导体装置用带载体，其中在前述半导体装置用带载体之长度方向之各半导体装置之外形宽度大于前述链齿孔之形成间隔之X倍(X系自然数)，而且为前述链齿孔之形成间隔之X＋(1/2)倍以下时，将前述布线图案之配置间隔设定为前述链齿孔之形成间隔之X＋(1/2)倍。如请求项13之半导体装置用带载体，其中在前述半导体装置用带载体之长度方向之各半导体装置之外形宽度大于前述链齿孔之形成间隔之X倍(X系自然数)，而且为前述链齿孔之形成间隔之X＋(1/4)倍以下时，将前述布线图案之配置间隔设定为前述链齿孔之形成间隔之X＋(1/4)倍。如请求项13至15中任一项之半导体装置用带载体，其中前述半导体装置为COF或TCP。一种半导体装置之制造方法，其特征为：使用半导体装置用带载体以制造半导体装置，该半导体装置用带载体包括：在表面配置有复数个布线图案之薄膜绝缘带；半导体元件；及将该半导体元件在电性连接于前述布线图案上之状态下予以密封之绝缘性树脂；藉由密封前述半导体元件与前述布线图案而形成半导体装置，于长度方向以一定间隔形成用以搬运前述绝缘带之复数个链齿孔，在前述半导体装置用带载体之长度方向之各半导体装置之外形宽度大于前述链齿孔之形成间隔之X倍(X系自然数)，而且为前述链齿孔之形成间隔之X＋Y倍(0<Y<1)以下时，将前述布线图案之配置间隔设定为前述链齿孔之形成间隔之X＋Y倍。一种半导体装置，其特征为：使用半导体装置用带载体所制造，该半导体装置用带载体包括：在表面配置有复数个布线图案之薄膜绝缘带；半导体元件；及将该半导体元件在电性连接于前述布线图案上之状态下予以密封之绝缘性树脂；藉由密封前述半导体元件与前述布线图案而形成半导体装置，于长度方向以一定间隔形成用以搬运前述绝缘带之复数个链齿孔，在前述半导体装置用带载体之长度方向之各半导体装置之外形宽度大于前述链齿孔之形成间隔之X倍(X系自然数)，而且为前述链齿孔之形成间隔之X＋Y倍(0<Y<1)以下时，将前述布线图案之配置间隔设定为前述链齿孔之形成间隔之X＋Y倍。一种半导体模组装置，其特征为：使用半导体装置所制造，而该半导体装置系使用半导体装置用带载体所制造者，该半导体装置用带载体包括：在表面配置有复数个布线图案之薄膜绝缘带；半导体元件；及将该半导体元件在电性连接于前述布线图案上之状态下予以密封之绝缘性树脂；藉由密封前述半导体元件与前述布线图案而形成半导体装置，于长度方向以一定间隔形成用以搬运前述绝缘带之复数个链齿孔，在前述半导体装置用带载体之长度方向之各半导体装置之外形宽度大于前述链齿孔之形成间隔之X倍(X系自然数)，而且为前述链齿孔之形成间隔之X＋Y倍(0<Y<1)以下时，将前述布线图案之配置间隔设定为前述链齿孔之形成间隔之X＋Y倍。 |
