发明名称 动态操控电流式混频器与正交动态操控电流式混频器
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.06.11
申请号 TW097112137 申请日期 2008.04.03
申请人 联发科技股份有限公司 发明人 蔡明达;陈彦宏
分类号 H03D7/00 主分类号 H03D7/00
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 一种动态操控电流式混频器,包括:一Gilbert混频核心,具有复数个第一节点与复数个第二节点,接收一第一差动输入信号,并于该等第一节点提供一第一差动输出信号;一对负载元件,分别耦接于该Gilbert混频核心之该等第一节点与一第一固定电压之间;一动态电流操控单元,具有耦接至该等第二节点与复数个第四节点的复数个第三节点;以及一转导单元,耦接于该等第四节点与一第二固定电压之间,并接收一第二差动输入信号;其中,该动态电流操控单元将转导单元的电流交替地导向该Gilbert混频核心及一固定电压准位。如申请专利范围第1项所述之动态操控电流式混频器,其中该动态电流操控单元包括复数个耦接于该等第三节点与该等第四节点之间的第一金氧半电晶体;以及复数个耦接于该等第四节点与一第三固定电压之间的第二金氧半电晶体,其中,该等第一金氧半电晶体与该等第二金氧半电晶体之闸极分别接收一操控电压与一参考电压。如申请专利范围第2项所述之动态操控电流式混频器,其中该操控电压的频率为该第一差动输入信号的频率的两倍。如申请专利范围第2项所述之动态操控电流式混频器,其中该第一固定电压与该第三固定电压相同。如申请专利范围第1项所述之动态操控电流式混频器,其中该转导单元之电流于该第一差动输入信号之交叉点被导向该固定电压准位。如申请专利范围第1项所述之动态操控电流式混频器,其中该第一固定电压与该第二固定电压分别为一供应电压与一接地之一。如申请专利范围第1项所述之动态操控电流式混频器,其中该Gilbert混频核心包括金氧半电晶体之差动对。如申请专利范围第1项所述之动态操控电流式混频器,其中该Gilbert混频核心包括双载子接面电晶体之差动对。如申请专利范围第1项所述之动态操控电流式混频器,其中每一该等负载元件包括一电阻。如申请专利范围第1项所述之动态操控电流式混频器,其中,该第一固定电压与该第二固定电压相同,且该等第二节点与一第三固定电压电性连接,该第三固定电压与该第一及该第二固定电压相异。一种正交动态操控电流式混频器,包括:并联于一第一固定电压与一第二固定电压之间的一第一动态操控电流式混频器与一第二动态操控电流式混频器,其中该第一动态操控电流式混频器与该第二动态操控电流式混频器皆包括:一Gilbert混频核心,具有复数个第一节点与复数个第二节点,接收一第一差动输入信号,并于该等第一节点提供一第一差动输出信号;一对负载元件,分别耦接于该Gilbert混频核心之该第一节点与一第一固定电压之间;一动态电流操控单元,具有耦接至该等第二节点与复数个第四节点的复数个第三节点;以及一转导单元,耦接于该等第四节点与一第二固定电压之间,并接收一第二差动输入信号;其中,该动态电流操控单元将转导单元的电流交替地导向该Gilbert混频核心及一固定电压准位;其中,该第一动态操控电流式混频器与该第二动态操控电流式混频器的该等第一差动输入信号之间有90度的相位差。如申请专利范围第11项所述之正交动态操控电流式混频器,其中每一该等动态电流操控单元包括复数个耦接于该等第三节点与该等第四节点之间的第一金氧半电晶体;以及复数个耦接于该等第四节点与一第三固定电压之间的第二金氧半电晶体,其中,该等第一金氧半电晶体与该等第二金氧半电晶体之闸极分别接收一参考电压与一操控电压之一。如申请专利范围第12项所述之正交动态操控电流式混频器,其中该操控电压的频率为该等第一差动输入信号的两倍。如申请专利范围第12项所述之正交动态操控电流式混频器,其中该第一固定电压与该第三固定电压相同。如申请专利范围第11项所述之正交动态操控电流式混频器,其中该等转导单元之电流于该等第一差动输入信号之交叉点被导向该固定电压准位。如申请专利范围第11项所述之正交动态操控电流式混频器,其中该第一固定电压与该第二固定电压分别为一供应电压与一接地之一。如申请专利范围第11项所述之正交动态操控电流式混频器,其中每一该等Gilbert混频核心包括金氧半电晶体之差动对。如申请专利范围第11项所述之正交动态操控电流式混频器,其中每一该等Gilbert混频核心包括双载子接面电晶体之差动对。如申请专利范围第11项所述之正交动态操控电流式混频器,其中每一该等负载元件皆包括一电阻。如申请专利范围第11项所述之正交动态操控电流式混频器,其中每一该等动态电流操控单元包括复数个耦接于该等第三节点与该等第四节点之间的第一金氧半电晶体;以及复数个耦接于该等第四节点与另一动态电流操控单元之第三节点之间的第二金氧半电晶体,其中,该等第一金氧半电晶体与该等第二金氧半电晶体之闸极分别接收一参考电压与一操控电压之一。如申请专利范围第20项所述之正交动态操控电流式混频器,其中该操控电压的频率为该等第一差动输入信号的两倍。如申请专利范围第20项所述之正交动态操控电流式混频器,其中该第一固定电压与该第三固定电压相同。一种混频器,包括:一信号输入端;一射频转导电路,具有一对电晶体,以转换由该信号输入端所接收之一输入差动信号为一差动电流;一本地振荡切换电路,藉由一差动本地振荡信号所决定之频率切换该混频电路输出端之间的差动电流;以及一电流操控电路,耦接于该射频转导电路与本地振荡切换电路之间,并有第一、第二、第三与第四电晶体,其中该等第一与第二电晶体接收一本地振荡信号之两倍频的控制信号,且该等第三与第四电晶体共同耦接至一具有一参考电压的共通节点。一种正交动态操控电流式混频器,包括:一I-正交混频器与一Q-正交混频器,具有相同的信号输入端,其中每一正交混频器包括:一射频转导电路,具有一对电晶体,以转换由该信号输入端所接收之一输入差动信号转换为一差动电流;一本地振荡切换电路,藉由一差动本地振荡信号所决定之频率切换该混频电路输出端之间的差动电流;以及一电流操控电路,耦接于该射频转导电路与本地振荡切换电路之间,并有第一、第二、第三与第四电晶体,其中该等第一与第二电晶体接收一本地振荡信号之两倍频的控制信号,且该等第三与第四电晶体共同耦接至一具有一参考电压的共通节点。
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