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一种散热型封装结构制法，系包括：提供至少一具相对主动面及非主动面之半导体晶片，以将该半导体晶片主动面透过覆晶方式接置并电性连接于晶片承载件上；于该晶片承载件上接置一散热件，该散热件具有一散热部、一自该散热部向下延伸之支撑部、以及一形成于该散热部之开孔，以供该散热件藉由该支撑部而架撑于该晶片承载件上，同时使该半导体晶片容置于该散热部与该支撑部所构成之容置空间中，并使该散热部之开孔对应于该半导体晶片非主动面之上方；进行封装模压作业，以于该晶片承载件上形成一包覆该半导体晶片及散热件之封装胶体；以及薄化该半导体晶片上方之封装胶体，藉以外露出该半导体晶片非主动面及散热部顶面，且该散热部之顶面高度系与该半导体晶片非主动面高度相等。如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法，其中，该晶片承载件为基板及导线架之其中一者。如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法，其中，该晶片承载件为球栅阵列(BGA)基板及平面栅格阵列(LGA)基板之其中一者。如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法，其中，该半导体晶片系透过复数导电凸块以将其主动面电性连接至该晶片承载件。如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法，其中，该散热部开孔之尺寸系大于半导体晶片平面尺寸。如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法，其中，该薄化作业系利用研磨技术移除覆盖于该半导体晶片非主动面上方之封装胶体。如申请专利范围第6项之散热型封装结构制法，其中，该薄化作业中亦同时研磨掉部分散热部。如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法，复包括于外露出该封装胶体之散热部顶面涂布一保护层。如申请专利范围第8项之散热型封装结构制法，其中，该保护层为油墨(ink)。一种散热型封装结构，系包括：晶片承载件；半导体晶片，具相对之主动面及非主动面，该半导体晶片系以其主动面接置并电性连接至该晶片承载件上；散热件，具有一散热部、一自该散热部向下延伸之支撑部、以及一形成于该散热部之开孔，以供该散热件藉由该支撑部而架撑于该晶片承载件上，同时使该半导体晶片容置于该散热部与该支撑部所构成之容置空间中，且该散热部之顶面高度系与该半导体晶片非主动面高度相等；以及封装胶体，系形成于该晶片承载件上，用以包覆该半导体晶片及散热件，且使该半导体晶片非主动面及散热部顶面外露出该封装胶体。如申请专利范围第10项之散热型封装结构，其中，该晶片承载件为基板及导线架之其中一者。如申请专利范围第10项之散热型封装结构，其中，该晶片承载件为球栅阵列(BGA)基板及平面栅格阵列(LGA)基板之其中一者。如申请专利范围第10项之散热型封装结构，其中，该半导体晶片系透过复数导电凸块以将其主动面电性连接至该晶片承载件。如申请专利范围第10项之散热型封装结构，其中，该散热部开孔之尺寸系大于半导体晶片平面尺寸。如申请专利范围第10项之散热型封装结构，复包括有一保护层，系形成于外露出该封装胶体之散热部顶面。如申请专利范围第15项之散热型封装结构，其中，该保护层为油墨(ink)。 |
