| 发明名称 | 半导体受光元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体受光元件。得到制造容易、受光灵敏性较高且不从外部施加偏置电压就能够高速动作的半导体受光元件。在n型InP衬底(11)(第一导电型的半导体衬底)上依次形成有InGaAs光吸收层(12)(第一光吸收层)、P型InP层(13)(第一个第二导电型半导体层)、n型InP层(14)(第一个第一导电型半导体层)、InGaAs光吸收层(15)(第二光吸收层)及p型区域(17)(第二个第二导电型半导体层)。阳极电极(18)(第一电极)与P型区域(17)连接，阴极电极(19)(第二电极)与n型InP衬底(11)连接。金属电极(23)(第三电极)将n型InP层(14)和p型InP层(13)电连接。阳极电极(18)、阴极电极(19)及金属电极(23)分别电独立。金属电极(23)形成在受光区域的外侧。 | ||
| 申请公布号 | CN101521244B | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200810149949.2 | 申请日期 | 2008.10.17 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 石村荣太郎;中路雅晴 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;张志醒 |
| 主权项 | 一种半导体受光元件，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成的第一光吸收层、第一个第二导电型半导体层、第一个第一导电型半导体层、第二光吸收层及第二个第二导电型半导体层；与所述第二个第二导电型半导体层连接的第一电极；与所述半导体衬底连接的第二电极；将所述第一个第一导电型半导体层和所述第一个第二导电型半导体层电连接的第三电极，所述第三电极形成在接收光信号的受光区域即所述第二个第二导电型半导体层的外侧。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||