| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过刻蚀衬底来形成多个第一沟槽；在所述多个第一沟槽中形成多个掩埋位线；通过刻蚀所述衬底以暴露所述多个掩埋位线的至少一个侧壁，来形成多个第二沟槽；以及形成填充所述多个第二沟槽的多个单侧壁接触插塞。 | ||
| 申请公布号 | CN102082095A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN201010267744.1 | 申请日期 | 2010.08.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 殷庸硕;朴恩实;金泰润;金旻秀 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过刻蚀衬底来形成多个第一沟槽；在所述多个第一沟槽中形成多个掩埋位线；通过刻蚀所述衬底以暴露所述多个掩埋位线的至少一个侧壁，来形成多个第二沟槽；以及形成多个单侧壁接触插塞，所述多个单侧壁接触插塞填充所述多个第二沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||