一种发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用涂敷、PECVD、电子束蒸镀或溅射的方法制备。本发明由于采用了SiO2/Al/Ag复合结构的反射镜，解决了在SiO2上直接镀Ag，造成Ag极易脱落的问题，并克服了Ag膜层在后序的打线工艺中由于加热容易产生金属团簇的现象，使芯片的出光效率提升25％以上。

主权项

一种发光二极管芯片，依次包括蓝宝石衬底、半导体外延层，所述半导体外延层至少包括n型半导体层、位于n型半导体层上的有源层、以及位于有源层上的p型半导体层，在所述n型半导体层上设有n电极，在p型半导体层上设有透明导电层和p电极，其特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为电介质层、Al膜层及第二金属层，所述电介质层的折射率为1.1‑1.6。