| 发明名称 |
发光二极管芯片及其制造方法 |
| 摘要 |
一种发光二极管芯片，包括基板及具有p-n结的半导体发光结构，基板包括相对设置的第一表面及第二表面，该具有p-n结的半导体发光结构形成于该基板的第一表面上，基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔内填充导热材料以形成导热柱。与现有技术相比，本发明的基板上形成导热柱，提高基板的热传导系数，增强基板的导热性能。本发明还公开一种发光二极管芯片的制造方法。 |
| 申请公布号 |
CN102082222A |
申请公布日期 |
2011.06.01 |
| 申请号 |
CN200910310725.X |
申请日期 |
2009.12.01 |
| 申请人 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
林大为 |
| 分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管芯片，包括基板及具有p‑n结的半导体发光结构，基板包括相对设置的第一表面及第二表面，该具有p‑n结的半导体发光结构形成于该基板的第一表面上，其特征在于：基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔内填充导热材料以形成导热柱。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
