一种晶体倍频器

摘要

本发明公开了一种晶体倍频器，本发明利用非线性晶体的Walk-Off（走离）效应使非线性过程中产生的为e光的紫外倍频光被侧面反射并在另一个侧面以布儒斯特角输出，从而使晶体器件的输出端无需镀与倍频光相关的膜系，从而回避紫外倍频光对膜层的损伤光对膜层损伤问题，同时也简化了镀膜的工艺难度。

主权项

一种晶体倍频器，其特征在于：所述的晶体入射端面（101）与光轴（102）成使入射基频光产生走离效应的角度，且e光（106）走离方向对应的侧面抛光为e光全反射面（105），另一个侧面抛光割成与全反射面反射的e光（106）成布儒斯特角的角度（103）。