| 发明名称 | 功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅阻挡层刻蚀的基片上依次进行Body注入、去光阻及Body推进；(2)栅极沟道刻蚀，形成栅极；(3)源注入及源区推进；(4)接触孔刻蚀；(5)第一次接触孔注入；(6)接触孔沟槽刻蚀；(7)第二次接触孔注入；(8)后续工艺包括依次进行金属淀积、曝光和刻蚀。本发明在现有的功率MOS晶体管集成肖特基二极管的工艺基础上进一步改进，减少了光刻层，简化了工艺流程，降低了产品成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102074508A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200910201856.4 | 申请日期 | 2009.11.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 邵向荣;魏炜 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅阻挡层刻蚀的基片上依次进行Body注入、去光阻及Body推进；(2)栅极沟道刻蚀，形成栅极；(3)源注入及源区推进；(4)接触孔刻蚀；(5)第一次接触孔注入；(6)接触孔沟槽刻蚀；(7)第二次接触孔注入；(8)后续工艺包括依次进行金属淀积、曝光和刻蚀。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||