室温下一锅法制备高质量水相半导体纳米晶的方法

摘要

本发明属于半导体纳米晶制备技术领域，具体涉及一种在室温条件下“一锅法”制备高质量水相半导体纳米晶的新方法，该方法只需按化学计量比将各种反应物直接混合，经室温短时间放置即可得到不同荧光颜色的纳米晶，并且纳米晶存在生长平台，可以较长时间保持荧光颜色不变。在制备中所用原料为镉盐，离子型碲源和/或离子型硒源，巯基小分子，硼氢化钠，氨类化合物，其摩尔比可在1∶0.1～0.8∶1.5～2.4∶1.32～132.3∶5000～120000范围内任意调节。本发明采用反应原料直接混合的方法，在短时间内即可获得预期荧光发射波长的纳米晶，并且可以较长时间保持荧光颜色稳定，显著降低了制备成本，适合纳米晶的大规模生产。

主权项

室温下“一锅法”制备高质量水相半导体纳米晶的方法，其特征在于：在室温下敞开体系中加入镉盐，然后用水溶解，再依次加入巯基小分子、离子型碲源和/或离子型硒源，再加入NaBH4，最后在反应体系中加入浓度为50wt％～85wt％的N2H4·H2O溶液或浓度为25wt％～28wt％的氨水溶液，在室温下放置1.5～3小时后，即得到半导体纳米晶溶液；反应体系中，镉盐的浓度为1.0×10‑4～3.0×10‑2mol/L，镉盐、离子型碲源和/或离子型硒源、巯基小分子、NaBH4、氨类化合物的摩尔比为1∶0.1～0.8∶1.5～2.4∶1～132.3∶5000～120000。