| 发明名称 | 一种低功耗复合源结构MOS晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低功耗复合源结构MOS晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该MOS晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个肖特基源区、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，所述肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结。本发明复合源结构结合了肖特基势垒和T型栅，提高了器件性能且制备方法简单，可以得到更高的导通电流、更低的泄漏电流以及更陡直的亚阈值斜率，有望在低功耗领域得到采用，有较高的实用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN102074583A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010560176.4 | 申请日期 | 2010.11.25 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 黄芊芊;詹瞻;黄欣;黄如;王阳元 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种低功耗复合源结构MOS晶体管，包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，其特征在于，在高掺杂源区远离沟道方向的一侧连接一个肖特基源区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，所述肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||