半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种用于制造半导体器件的方法。在该方法中，在半导体衬底上顺序地形成栅极氧化层、栅极多晶硅层以及覆盖氧化层。通过使用光致抗蚀剂图案的蚀刻工艺，形成覆盖氧化层图案、栅极多晶硅图案以及栅极氧化层图案。通过使用覆盖氧化层图案作为硬掩模注入离子，以在半导体衬底中形成LDD。在覆盖氧化层图案、栅极多晶硅图案以及栅极氧化层图案的侧面上分别形成隔离物。通过使用隔离物和覆盖氧化层图案作为掩模来注入离子，以在半导体衬底中形成源极/漏极区域。移除覆盖氧化层图案以及隔离物的一部分直到栅极多晶硅图案的表面，且将离子注入栅极多晶硅图案中。在将金属沉积在栅极多晶硅图案上之后，就形成了硅化物。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上顺序地形成栅极氧化层、栅极多晶硅层以及覆盖氧化层；通过使用光致抗蚀剂图案的蚀刻工艺，形成覆盖氧化层图案、栅极多晶硅图案以及栅极氧化层图案；通过使用所述覆盖氧化层图案作为硬掩模来注入离子，以在所述半导体衬底中形成LDD，该LDD即轻掺杂漏极；在所述覆盖氧化层图案、所述栅极多晶硅图案以及所述栅极氧化层图案的侧面上分别形成隔离物；通过使用所述隔离物和所述覆盖氧化层图案作为掩模来注入离子，以在所述半导体衬底中形成源极/漏极区域；移除该覆盖氧化层图案以及所述隔离物的一部分直到该栅极多晶硅图案的表面，并将离子注入该栅极多晶硅图案；以及在该栅极多晶硅图案上沉积金属，然后由该金属和该栅极多晶硅图案形成金属硅化物。