| 发明名称 | 在经掺杂的聚合物上形成可电接触部位的方法以及由该方法制成的成形体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在掺杂导电材料的聚合物上制造至少一个可电接触部位的方法，在该方法中，聚合物上被涂覆上在23℃时电阻率低于聚合物的接触材料(10、11)。本发明所述的接触材料(10、11)被紧密地施加到聚合物上，以使所述接触材料与所述导电材料紧密接触。由于电阻率低于所述聚合物的接触材料(10，11)的紧密施加，使得经掺杂的聚合物的输入电阻有效降低。本发明还涉及一种由掺有导电材料的聚合物所构成的成形体(1、2)，模型制品上至少具有可接触部位，该部位上的聚合物被涂装上在23℃时电阻率低于聚合物的接触材料(10、11)。本发明所述的接触材料(10、11)被紧密地施加到聚合物上，以使所述接触材料与所述导电材料紧密接触。本发明的成形体(1，2)具有明显降低的输入电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1871047B | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200480031434.2 | 申请日期 | 2004.10.25 |
| 申请人 | 埃麦克萨股份公司 | 发明人 | H·穆勒-哈特曼;E·费尔南巴茨;G·希本柯特恩 |
| 分类号 | A61N1/32(2006.01)I;C12M1/42(2006.01)I;H01C1/14(2006.01)I | 主分类号 | A61N1/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明 |
| 主权项 | 用于在掺杂导电材料的聚合物上制造至少一个可电接触部位的方法，包括将接触材料(10、11、35、38)在压力作用下施加到所述聚合物上，所述接触材料在23℃时的电阻率低于聚合物的电阻率，其特征在于所述接触材料(10、11、35、38)是箔，所述箔在暴露在高于经掺杂的聚合物的软化温度的温度条件下施加到所述聚合物上。 | ||
| 地址 | 德国科隆 | ||