CMOS器件叠层栅形成方法及其结构

摘要

本发明提出了一种金属氧化物半导体MOS器件的栅介质结构，包括：在半导体衬底表面上形成的界面层薄膜；和在所述界面层薄膜表面之上形成的至少两层绝缘薄膜，其中，所述至少两层绝缘薄膜中的每一个都具有与其他相邻绝缘薄膜不同的元素组分和/或不同的浓度，且所述界面层薄膜和所述至少两层绝缘薄膜经过优化的退火工艺，所述优化的退火工艺与所述界面层薄膜和所述至少两层绝缘薄膜的元素组分和/或浓度相关，以达到希望的所述元素和/或浓度的分布。本发明通过按照一定顺序淀积多层不同材料组分或不同浓度的薄膜来形成MOS器件的叠层栅介质结构，然后通过优化的退火工艺以促使该叠层栅介质结构中的各种元素组分和浓度达到理想的分布状态。

主权项

一种金属氧化物半导体MOS器件的栅介质结构，其特征在于，包括：在半导体衬底表面上形成的界面层薄膜；和在所述界面层薄膜表面之上形成的至少两层绝缘薄膜，每层绝缘薄膜包括至少两种元素，其中，所述至少两层绝缘薄膜中的每一个都具有与其他相邻绝缘薄膜不同的元素组分和/或不同的浓度，且所述界面层薄膜和所述至少两层绝缘薄膜经过优化的退火工艺，所述优化的退火工艺与所述界面层薄膜和所述至少两层绝缘薄膜的元素组分和/或浓度相关，以达到希望的所述元素和/或浓度的分布。