沟槽式肖特基二极管及其制作方法

摘要

一种沟槽式肖特基二极管及其制作方法。该方法包含下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板上形成一第一掩模层；于该半导体基板中形成一多沟槽结构；于该多沟槽结构的表面上形成一栅极氧化层；于该栅极氧化层上与该第一掩模层上形成一多晶硅结构；对该多晶硅结构进行蚀刻；于部分的该多晶硅结构上与部分的该第一掩模层上形成一第二掩模层；于该第二掩模层上与该半导体基板、该多晶硅结构和该栅极氧化层的部分表面上形成一金属溅镀层；以及对该金属溅镀层进行蚀刻。本发明的沟槽式肖特基二极管的结构能有效地和外在环境作隔绝；其次具有较低的反向电压漏电流、较低的正向偏置电压、较高的反向耐电压值以及较短的反向恢复时间。

主权项

一种沟槽式肖特基二极管制作方法，该方法包含下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板上形成一第一掩模层；根据该第一掩模层对该半导体基板进行蚀刻，以于该半导体基板中形成一多沟槽结构；于该多沟槽结构的表面上形成一栅极氧化层；于该栅极氧化层上与该第一掩模层上形成一多晶硅结构；对该多晶硅结构进行蚀刻，以将该第一掩模层的顶面与部分侧面加以露出；于部分的该多晶硅结构上与部分的该第一掩模层上形成一第二掩模层，以将该半导体基板、该多晶硅结构和该栅极氧化层的部分表面加以露出；于该第二掩模层上与该半导体基板、该多晶硅结构和该栅极氧化层的部分表面上形成一金属溅镀层；以及对该金属溅镀层进行蚀刻，以将该第二掩模层的部分表面加以露出。