| 主权项 |
一种封装结构，包括：一基板；一第一晶片，设置于该基板上，并具有一主动表面与该基板电性连接；一间隔体(Spacer)，设置于该第一晶片上，该间隔体具有一第一侧、一第二侧及一通孔，该第一侧相对于该第二侧，该通孔系贯穿于该第一侧及该第二侧；一封装件，设置于该间隔体上，并与该基板电性连接；以及一胶体，包覆该基板、该第一晶片、该间隔体以及该封装件；其中，该间隔体包括一第一部以及一第二部，该第一部系与该第二部呈一预设角度设置，其中该通孔系位于该第一部以及该第二部之一交界处，且该通孔填充该胶体；其中，该间隔体为一多孔性材质所组成使得当该胶体包覆该间隔体时气体透过该多孔性材质由该间隔体之该第一侧与该第二侧之间排出。如申请专利范围第1项所述之封装结构，更包括一锡球设置于该基板下方。如申请专利范围第1项所述之封装结构，其中该间隔体之形状系一L型结构。如申请专利范围第5项所述之封装结构，其中该间隔体之该通孔系设置于该L型结构之一转折处。如申请专利范围第1项所述之封装结构，其中该间隔体之形状系一「ㄇ」字型结构。如申请专利范围第7项所述之封装结构，其中该间隔体之该通孔系设置于该「ㄇ」字型结构之转折处。如申请专利范围第1项所述之封装结构，其中该封装结构更包括另一间隔体，该另一间隔体设置于第一晶片上，并与该间隔体相隔一段距离。如申请专利范围第1项所述之封装结构，其中该第一晶片系藉由表面黏着技术(Surface Mounting Technology,SMT)设置于该基板上。如申请专利范围第1项所述之封装结构，更包括一第二晶片，设置于该第一晶片上，并具有一主动表面与该基板及该第一晶片之该主动表面电性连接；其中，该间隔体之高度系大于该第二晶片之高度，使得该封装件系与该第二晶片相隔一间距。如申请专利范围第11项所述之封装结构，其中该第二晶片系藉由焊线接合方式(Wire Bounding)设置于该第一晶片上。如申请专利范围第1项所述之封装结构，其中该封装件系一焊线接合(Wire Bounding)式封装结构。如申请专利范围第1项所述之封装结构，其中该封装件系一覆晶接合(Flip Chip Bounding)式封装结构。如申请专利范围第1项所述之封装结构，更包括：一导线，用以电性连接该封装件及该基板；以及一胶体，用以包覆该基板、该第一晶片、该第二晶片、该间隔体、该封装件及该导线。如申请专利范围第15项所述之封装结构，其中该胶体系一环氧树脂(epoxy)。如申请专利范围第1项所述之封装结构，系为一堆叠式晶片级封装结构(Package in Package,PIP)。一种封装结构，包括：一基板；一第一晶片，设置于该基板上，并具有一主动表面与该基板电性连接；一间隔体，设置于该第一晶片上，该间隔体具有一第一侧、一第二侧及一通孔，该第一侧相对于该第二侧，该通孔系贯穿于该第一侧及该第二侧；一封装件，设置于该间隔体上，并与该基板电性连接；以及一胶体，包覆该基板、该第一晶片、该间隔体以及该封装件；其中，该间隔体包括一第一部以及一第二部，该第一部系与该第二部呈一预设角度设置，其中该通孔系位于该第一部以及该第二部之一交界处，且该通孔填充该胶体；其中，该间隔体为一透气材质所组成使得当该胶体包覆该间隔体时气体透过该透气材质由该间隔体之该第一侧与该第二侧之间排出。 |
