发明名称 |
半导体基板加工设备 |
摘要 |
半导体基板加工设备,主要解决了现有技术中每台设备所能搭载的工艺室数量有限,生产成本高的难题。该设备包括第一大气传送区,第二大气传送区和工艺处理模块等三个部分。第一大气传送区进一步包括基板载荷端口和基板传送机械装置。第二大气传送区进一步包括基板放置匣和滑轨。工艺处理模块进一步包括缓冲室和工艺室。所述第二大气传送区的长度越长,其能够连接的工艺处理模块数量也越多。因此,理论上设备可搭载的工艺处理模块数量不受限制。本发明可以用于对半导体基板实施化学气相沉积,原子层沉积和等离子刻蚀等加工工艺。具有可搭载多个工艺处理模块,并且能够被同时平行使用,可提高半导体器件生产速度,降低半导体器件生产商操作成本的特点。 |
申请公布号 |
CN102064095A |
申请公布日期 |
2011.05.18 |
申请号 |
CN201010573966.6 |
申请日期 |
2010.12.03 |
申请人 |
孙丽杰 |
发明人 |
刘忆军;王祥慧;李茂程 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳维特专利商标事务所 21229 |
代理人 |
甄玉荃 |
主权项 |
一种半导体基板加工设备,其特征在于:它包含一个第一大气传送区,其具有至少一个基板载荷端口,和一个基板传送装置;以及一个第二大气传送区,其具有一或多个基板放置匣,和一个滑轨;以及至少一个工艺处理模块,其具有一个缓冲室,和至少一个工艺室,其中所述第二大气传送区连接至所述第一大气传送区上,其中所述工艺处理模块连接至所述第二大气传送区上,并且由所述工艺处理模块中的缓冲室的一侧与所述第二大气传送区相连接,其中所述工艺处理模块中的缓冲室,其具有一或多个基板传送装置,所述工艺室内可以放置至少一个基板。 |
地址 |
110003 辽宁省沈阳市沈河区朝阳街167-1号3-2-2 |