| 发明名称 | 采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，包括如下步骤：第一步，浅沟隔离刻蚀；第二步，缓冲氧化层切口刻蚀；第三步，氮化硅第一次回刻；第四步，在浅沟隔离露出的硅表面生长衬垫氧化层；第五步，氮化硅第二次回刻。该方法可以改善STI角部圆化轮廓，同时也改善了氧化硅填充后的形貌，从而解决了后续工艺刻蚀残留的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102064128A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200910201834.8 | 申请日期 | 2009.11.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 林钢;杨斌 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，浅沟隔离刻蚀；第二步，缓冲氧化层切口刻蚀；第三步，氮化硅第一次回刻；第四步，在浅沟隔离露出的硅表面生长衬垫氧化层；第五步，氮化硅第二次回刻。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||