用于制备具有双面钝化的半导体发光器件的方法

摘要

一种制备半导体发光器件的方法，该方法包括在第一衬底上制备多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，MQW有源层，第二掺杂半导体层以及第一钝化层。该方法进一步包括图形化并刻蚀部分所述第一钝化层以暴露所述第一掺杂半导体层，然后形成与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极，接着，所述多层结构被邦定至第二衬底上并去除所述第一衬底，形成与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极，此外，形成第二钝化层，其大体上覆盖所述多层结构的侧壁和未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分表面。

主权项

一种制备半导体发光器件的方法，该方法包括：在第一衬底上制备多层半导体结构，其中所述多层半导体结构包括第一掺杂半导体层，MQW有源层，第二掺杂半导体层以及第一钝化层；图形化并刻蚀部分所述第一钝化层以暴露所述第一掺杂半导体层；形成与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极；将所述多层结构邦定至第二衬底上；去除所述第一衬底；形成与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极；以及形成第二钝化层，其大体上覆盖所述第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层侧壁，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分表面。