发明名称 |
一种透明导电膜及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种透明导电膜,该透明导电膜包括透明基底和导电金属,其中在透明基底上利用纳米压印技术压制出用于埋设导电金属颗粒的凹槽以及用于透光的网格,通过设计凹槽的线宽和深度以及占整个透明导电膜的比重,得到了一种透光率高且导电性好的透明导电膜。同时,由于导电金属部分被镶嵌在透明基底内部,不易脱落和氧化,并且可以采用柔性材料作为透明基底,开发出能在更多场合下应用的透明导电膜。同时本发明还提供了该透明导电膜的制作方法。 |
申请公布号 |
CN102063951A |
申请公布日期 |
2011.05.18 |
申请号 |
CN201010533228.9 |
申请日期 |
2010.11.05 |
申请人 |
苏州苏大维格光电科技股份有限公司;苏州大学 |
发明人 |
陈林森;周小红;朱鹏飞;吴智华;浦东林 |
分类号 |
H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01B5/14(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种透明导电膜,包括透明基底和导电金属,其特征在于:所述透明基底包括导电区和透光区,该导电区为相互连通的网线状凹槽,该透光区为该网线状凹槽围成的网格;所述导电金属填没于该导电区的网线状凹槽内,其中该凹槽的面积与该网格的面积之比小于5%。 |
地址 |
215026 江苏省苏州市工业园区钟南街478号 |