处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件

摘要

本发明公开了一种处理碳化硅衬底的方法，用于改进其外延沉积和作为制造如发光二极管等器件的前体。该方法包括如下步骤：在一种或多种预定掺杂浓度和注入能量下，将第一导电类型的掺杂原子注入到与注入离子有相同的导电类型的导电碳化硅晶片第一表面，形成一种掺杂分布，对注入的晶片退火，在衬底晶片的注入第一表面生长一层外延层。

主权项

一种处理导电碳化硅晶片的方法，用于改进其外延沉积和作为制造器件的前体，该方法包括：用一种材料在导电碳化硅晶片的第一表面上形成覆盖层，该材料能够被沉积成薄层，能够被注入与导电碳化硅晶片有相同导电性的离子，能够被去除而基本上不损坏导电碳化硅晶片下面的表面；在一种或多种预定掺杂浓度和注入能量下，将第一导电类型的掺杂离子注入并穿过覆盖层和与注入离子有相同的导电类型的导电碳化硅晶片的第一表面，形成10‑5000埃厚度的被注入区域，被注入离子的掺杂分布处于1E19‑5E21cm‑3的峰值浓度；对被注入的导电碳化硅晶片退火；去除覆盖层，以及在导电碳化硅晶片上的被注入的第一表面上生长一外延层。