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一种太阳能电池制作方法，其特征是制备过程如下：①.选用电阻率0.5‑10欧姆·厘米的硅晶片，用激光刻槽机在硅片的正面按电极图刻制主栅槽和附栅槽，所说的主栅槽是两组栅状纵向槽，每组包含6个并列的单槽，附栅槽是间隔1.5～3.0mm排列的栅状横向单槽，每单槽的槽宽80～200μm，槽深10～20μm；②.用0.1％NaOH溶液使硅晶片表面反应形成绒面，随后依次用5％HCl溶液和10％HF溶液清洗，腐蚀去除硅晶片的表面损伤层及表面杂质；③.送入850‑920℃高温扩散炉中，通入气态POCl3，高温扩散，形成电池正面PN结；④.置于等离子体化学气相沉积炉中，通入体积比为1∶10的SiH4气体和NH3气体，通过化学气相沉积制成表面减反射膜；⑤.预制含有与硅晶片栅状电极槽相对应的栅状孔的镍合金掩模版；将掩模版放置于硅晶片刻有的电极槽的上方，将栅状孔与栅状电极槽对齐，利用印刷设备，以印刷的方式使正面银浆透过掩模版上的栅状孔压入硅晶片表面的栅状电极槽中；⑥.将硅晶片翻转至背面，使未刻有电极槽的一面向上，将网版放置于硅晶片上方，利用印刷设备，分两步将背面银浆和铝浆印刷在硅晶片的背表面；⑦.印刷浆料后的硅晶片置于红外线烧结炉，850‑950℃下烧结实现浆料与硅晶材料的欧姆接触，形成电极。 |
