纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法

摘要

纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法，以(100)晶向的SOI为衬底；采用热氧化和缓冲氢氟酸BHF对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度；旋涂电子束抗蚀剂，以电子束曝光剂量进行电子束直写工艺；以扫描电子显微镜SEM观察结果以确定最优的曝光剂量；根据显影结果，对第一次曝光版图做图形补偿修正；对原始的设计版图进行图形修补，确定最好的修补版图；干法刻蚀将电子束抗蚀剂图形转移到表层硅上，最后湿法去胶。

主权项

一种纳米点结构制备方法，其特征包括：以(100)晶向的SOI为衬底；采用热氧化和缓冲氢氟酸对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度；旋涂电子束抗蚀剂，设计原始版图，原始版图是根据需要纳米点形状做设计的版图；设计一组电子束曝光剂量进行电子束直写曝光；在固定显影时间内显影并定影，以扫描电子显微镜SEM观察结果以确定最优的曝光剂量：相对于固定的显影时间，如果曝光剂量过大，纳米点的尺寸会因为显影不完全而比设计尺寸大很多，反之若曝光剂量过小，图形会因为显影时间过长而显干净，即图形比设计图形小甚至消失，根据上述方式确定电子束剂量条件；根据显影结果，比较显影图形与设计图形差别，对原始版图进行图形修正，对于容易显掉的边角部分叠加其它图形，对于不容易显出的图形交叠处减少版图中图形交叠部分甚至图形分离；基于修改的原始版图，以所述最优的电子束曝光剂量和所述的固定显影时间进行第二次电子束直写曝光，观察显影结果以确定最好的修改的原始版图，基于最好的修改原始版图进行正式电子束曝光；以干法刻蚀将电子束抗蚀剂图形转移到表层硅上，最后湿法去胶。