发明名称 |
一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO<sub>3</sub>薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法,属于功能材料制备技术领域。对Si衬底进行预处理;利用脉冲激光沉积方法,采用LaNiO3靶材,在上述衬底上制备高取向的LaNiO3薄膜;利用脉冲激光沉积方法,采用BiFeO3靶材,在LaNiO3薄膜上制备高取向的BiFeO3薄膜。本发明制备的产品兼容性好,膜晶粒大小均匀,排列致密,结晶度高,取向性好。 |
申请公布号 |
CN102051582A |
申请公布日期 |
2011.05.11 |
申请号 |
CN201010543781.0 |
申请日期 |
2010.11.12 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
张铭;王光明;李廷先;严辉;宋雪梅;王如志;侯育冬;朱满康;汪浩;王波 |
分类号 |
C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
沈波 |
主权项 |
一种在Si衬底上制备高取向BiFeO3薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)Si(100)衬底的预处理:将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后,再用去离子水冲洗,并浸泡在乙醇中备用;b)利用脉冲激光沉积方法,采用LaNiO3靶材,在上述衬底上,在激光能量400毫焦/脉冲,衬底温度650‑750℃,沉积氧压5‑8Pa,靶基距50mm,脉冲激光频率3‑5Hz的条件下,沉积时间20min,原位退火20min,得到400nm厚的高结晶度高取向的LaNiO3薄膜;c)利用脉冲激光沉积方法,采用BiFeO3靶材,在LaNiO3薄膜上,在激光能量350毫焦/脉冲,衬底温度600‑700℃,沉积氧压0.1‑2Pa,靶基距50mm,脉冲激光频率5‑7Hz的条件下,沉积时间30min,300Pa氧压下原位退火20min,得到400nm厚的高结晶度高取向的BiFeO3薄膜。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |