正光阻形成倒梯形形状的工艺方法

摘要

本发明公开了一种正光阻形成倒梯形形状的工艺方法。包括步骤：在晶片上进行第一次涂胶，形成第一正光阻层；对所述第一正光阻层进行全面曝光，使所述第一正光阻层完全感光；在所述第一正光阻层上进行第二次涂胶，形成第二正光阻层；对所述第二正光阻层进行带光罩曝光，将所需要的图形定义到所述第二正光阻上；对晶片进行显影，形成具有倒梯形剖面的正光阻图形。本发明能形成底角角度为90～135度的倒梯形形状的正光阻图形剖面，满足产品工艺要求，并能降低成本。

主权项

一种正光阻形成倒梯形形状的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶片上进行第一次涂胶，形成第一正光阻层；步骤二、对所述第一正光阻层进行全面曝光，使所述第一正光阻层完全感光；步骤三、在所述第一正光阻层上进行第二次涂胶，形成第二正光阻层；步骤四、对所述第二正光阻层进行带光罩曝光，将所需要的图形定义到所述第二正光阻上；步骤五、对晶片进行显影，通过调整显影时间来控制所述图形的倒梯形剖面角度。