发明名称 一种制备碳纳米管薄膜及薄膜晶体管的方法
摘要 本发明涉及一种制备碳纳米管薄膜的方法,其包括以下步骤:提供一形成有碳纳米管阵列的生长基底;提供一第一基底,将该第一基底覆盖在碳纳米管阵列之上并施加一第一压力于该第一基底,从而使碳纳米管阵列被压形成一过渡碳纳米管膜,该第一基底与过渡碳纳米管膜的结合力比生长基底与过渡碳纳米管膜的结合力大;将该第一基底与生长基底分离,过渡碳纳米管膜被转印至第一基底的表面;提供至少一第二基底,将该第二基底覆盖在过渡碳纳米管膜的表面,施加一第二压力于该第二基底;将第二基底与第一基底分离,过渡碳纳米管膜中的部分碳纳米管由第一基底转印至第二基底,从而在第二基底的表面制得一碳纳米管薄膜。
申请公布号 CN102050424A 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN200910110046.8 申请日期 2009.11.06
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 郑刚;李群庆;谢晶;范守善
分类号 B82B3/00(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种制备碳纳米管薄膜的方法,其包括以下步骤:提供一形成有碳纳米管阵列的生长基底;提供一第一基底,将该第一基底覆盖在碳纳米管阵列之上并施加一第一压力于该第一基底,从而使碳纳米管阵列被压形成一过渡碳纳米管膜,该第一基底与过渡碳纳米管膜的结合力比生长基底与过渡碳纳米管膜的结合力大;将该第一基底与生长基底分离,过渡碳纳米管膜被转印至第一基底的表面;提供至少一第二基底,将该第二基底覆盖在过渡碳纳米管膜的表面,施加一第二压力于该第二基底;将第二基底与第一基底分离,过渡碳纳米管膜中的部分碳纳米管由第一基底转印至第二基底,从而在第二基底的表面制得一碳纳米管薄膜。
地址 100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
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