| 发明名称 | 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低，容易精确控制掺杂元素浓度，还具有使杂质原子均匀分布在薄膜内的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102051576A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910237087.3 | 申请日期 | 2009.11.04 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 应杰;张兴旺;范亚明 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||