发明名称 DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO Y METODO DE FABRICACION DEL DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.
摘要 Un dispositivo fotovoltaico que comprende un sustrato semiconductor cristalino (2) del primer tipo de conducción, que incluye una primera superficie principal y una segunda superficie principal proporcionada en el lado opuesto a la primera superficie principal, y una capa semiconductora (3) del segundo tipo de conducción dispuesta en la primera superficie principal, en el que, el substrato semiconductor cristalino comprende una superficie lateral procesada separada, formada por un proceso de separación, interpuesta entre la primera superficie principal y la segunda superficie principal. caracterizado porque la superficie lateral procesada separada comprende una región (4a, 7a) procesada con láser, formada mediante un proceso con láser, y una región procesada por corte, formada mediante un proceso de corte, la región procesada por láser es una región que se extiende desde la segunda superficie principal hacia el lado de la primera superficie principal, sin alcanzar la capa semiconductora del segundo tipo de conducción.
申请公布号 ES2358438(T3) 申请公布日期 2011.05.10
申请号 ES20060006602T 申请日期 2006.03.29
申请人 SANYO ELECTRIC CO., LTD. 发明人 ASAUMI, TOSHIO;BABA, TOSHIAKI;TERAKAWA, AKIRA;TSUNOMURA, YASUFUMI
分类号 H01L31/20;H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/075 主分类号 H01L31/20
代理机构 代理人
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