METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR WAFERS FOR THE INTEGRATION OF SILICON COMPONENTS WITH HEMTS, AND APPROPRIATE SEMICONDUCTOR LAYER ARRANGEMENT

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Siliziumhalbleiterscheiben mit Schichtstrukturen von III-V-Halbleiterschichten zur Integration von auf III-V-Halbleiterschichten basierenden HEMTs mit Silizium-Bauelementen beschrieben. SOI-Silizium-Halbleiterscheiben werden eingesetzt, auf deren aktiven Halbleiterschicht die III-V-Halbleiterschichten (24) des HEMT-Aufbaus (2) über zwei voneinander isolierte Bereiche (24a, 24b) der aktiven Siliziumschicht reichend platziert werden. Eine entsprechende Schichtanordnung ist ebenfalls offenbart.