铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法

摘要

一种铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口内填充有金属铜；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，至所述开口内的金属铜与所述介质层表面齐平；使用碱性制剂对所述介质层和金属铜的表面进行清洗；对所述介质层和金属铜的表面等离子体预处理；在所述介质层和金属铜的表面形成刻蚀停止层。本发明通过对工艺流程的简单调整，避免了铜表面的氧化以及铜离子在介质层中的漂移扩散，并在一定程度修复了介质层的晶格和表面状态，改善了击穿电压、时间相关介质击穿参数(TDDB)等电学性能参数，提高了器件性能。

主权项

一种铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口内填充有金属铜；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，至所述开口内的金属铜与介质层表面齐平；使用碱性制剂对所述介质层和金属铜的表面进行清洗；对所述介质层和金属铜的表面等离子体预处理；在所述介质层和金属铜的表面形成刻蚀停止层。