为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品及制备方法

摘要

本发明公开了一种为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品，该标准样品是一个多层结构的SiGe薄膜淀积在Si衬底上；每一层的厚度范围从100埃到2000埃，每一层SiGe薄膜的Ge和Si的原子百分比(at％)不同，其中Ge的范围从0.1at％到99at％。此外，本发明还公开了该标准样品的制备方法，此方法使用CVD技术将具有多层结构的SiGe薄膜淀积在Si衬底上，利用CVD设备中的气相流量计控制进入反应过程中的GeH4和SiH4的化学成分比，并由此可以对每一层的SiGe薄膜粗略估计其Si，Ge的化学组成比；然后使用SIMS对每一层的SiGe的化学组成比进行精确测定。本发明可大大降低制作成本。

主权项

一种为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品，其特征在于，该标准样品是一个多层结构的SiGe薄膜淀积在Si衬底上，该多层结构的SiGe薄膜为三层至二十层，每一层的厚度范围从100埃到2000埃，每一层SiGe薄膜的Ge和Si的原子百分比不同，其中Ge的原子百分比范围从0.1at％到99at％；从Si衬底开始，每一层SiGe薄膜中Ge的原子百分比逐渐增加。