发明名称 衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法
摘要 衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法,是在紫外焦平面列阵制造完成后,在同一芯片的背面进行衍射微透镜列阵的制作,采用双面对准方法;组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵。双面对准方法是指双面同时曝光;或单面曝光、反面用红外对准;或单面曝光、反面用分离视场对准的光刻方法;组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺步骤是:直接在背照式紫外焦平面芯片的光入射面制备光刻掩模图形;在光刻掩模图形的表面淀积膜层;再将芯片浸入去胶剂中,通过摇晃或超声震动,将光刻胶上的膜层和光刻胶去除干净;重复上述步骤,可获得多台阶的表面浮雕结构。提高填充因子,可大大提高背照式紫外焦平面列阵和探测器列阵的光电性能。
申请公布号 CN101304003B 申请公布日期 2011.05.04
申请号 CN200710040514.X 申请日期 2007.05.10
申请人 上海理工大学 发明人 李毅;蒋群杰;胡双双;武斌
分类号 H01L21/82(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/82(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 宁芝华
主权项 衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法,其特征在于:在紫外焦平面列阵制造工艺完成之后,在同一芯片上进行衍射微透镜列阵的制作,将衍射微透镜列阵制备在紫外焦平面列阵的背面,并采用双面对准方法;组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵,各项工艺的温度低于100℃。
地址 200093 上海市杨浦区军工路516号