| 发明名称 | 半导体器件的前端制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的前端制造工艺，包括：硅片表面进行清洗、脱水；在硅片背面形成保护层；在硅片正面形成器件；将硅片进行退火。与现有的技术相比，本发明具有以下优点：通过在硅片背面形成保护层，避免了由于硅片背面无保护层导致杂质扩散进入硅片，同样能够防止预清洗时硅片中硅原子流失而导致的晶圆漏电流等影响晶圆质量的问题产生。进一步保证预清洗时硅片有保护层的覆盖，不会造成硅片因清洗导致的硅片不平坦，影响后续工艺光刻设备的对于晶圆的对焦。 | ||
| 申请公布号 | CN102044416A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910197130.8 | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的前端制造工艺，其特征在于，包括：提供硅片；硅片表面进行清洗、脱水；在硅片背面形成保护层；在硅片正面形成器件；将硅片进行退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||