| 发明名称 | 半导体晶圆的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体晶圆的清洗方法，至少包含如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆上具有刻蚀残余物；采用EKC溶液清洗所述晶圆，去除所述晶圆上的刻蚀残余物；采用一清洗剂清洗所述晶圆，去除所述晶圆上残留的EKC溶液，所述清洗剂为酮基化合物且不含有羟基；去除晶圆表面残留的清洗剂。本发明的优点在于易于控制清洗液中的水含量，从而降低了半导体晶圆的金属线发生缺陷的可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN102039282A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910197631.6 | 申请日期 | 2009.10.23 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 汤舍予;谢宝强;周祖源 |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，该方法至少包含如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆上具有刻蚀残余物；采用EKC溶液清洗所述晶圆，去除所述晶圆上的刻蚀残余物；采用一清洗剂清洗所述晶圆，去除所述晶圆上残留的EKC溶液，所述清洗剂为酮基化合物且不含有羟基；去除晶圆表面残留的清洗剂。 | ||
| 地址 | 214061 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||