半导体器件的凹槽栅极及其形成方法

摘要

本发明披露了一种用于制造半导体器件的方法，更具体地，披露了一种用于形成凹槽栅极的方法。该用于形成凹槽栅极的方法包括：在半导体衬底上方形成第一氮化层，通过选择性地蚀刻第一氮化层来形成第一氮化层图样以暴露衬底的一个部分，在第一氮化层图样的侧壁上方形成隔离体，通过使用第一氮化层图样和隔离体作为蚀刻掩膜蚀刻衬底来形成用于栅极沟道区的凹槽，在凹槽的侧壁和底部表面上方形成栅极氧化层，形成栅极多晶硅层图样以埋置凹槽和由隔离体限定的间隔，以及去除第一氮化层图样。

主权项

一种制造凹槽栅极的方法，包括：在半导体衬底上方形成第一氮化层；通过选择性地蚀刻所述第一氮化层来形成第一氮化层图样以暴露所述衬底的一个部分；在所述第一氮化层图样的侧壁上方形成隔离体；通过使用所述第一氮化层图样和所述隔离体作为蚀刻掩膜蚀刻所述衬底来形成用于栅极沟道区的凹槽；在所述凹槽的侧壁和底部表面上方形成栅极氧化层；形成栅极多晶硅层图样以完全埋置所述凹槽和由所述隔离体限定的间隔；以及去除所述第一氮化层图样。