| 发明名称 | 染料敏化光晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种染料敏化光晶体管及其制备方法。本染料敏化光晶体管包括第一电极和第二电极，位于第一电极和第二电极之间有电解质、染料敏化剂及粘附形成在第二电极上的纳米晶半导体。所述第二电极由透明基底及形成在透明基底上的导电层构成，所述导电层由绝缘沟道分割形成在绝缘沟道两侧的源极和漏极，所述纳米晶半导体覆盖绝缘沟道、源极及漏极。通过电刻蚀方法将第二电极的第二导电层分割成源极和漏极，获得一种新型的基于染料敏化电池单元结构的染料敏化光晶体管。本发明的染料敏化光晶体管采用氧化物宽带隙半导体，具有材料成本低、对背景噪音不敏感和可通过不同染料选择扩大光谱响应范围优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101609869B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910055090.3 | 申请日期 | 2009.07.21 |
| 申请人 | 上海大学 | 发明人 | 王晓祺;蔡传兵;刘志勇;鲁玉明;周文谦 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 何文欣 |
| 主权项 | 一种染料敏化光晶体管，包括呈面向设置的第一电极(11)和第二电极(12)、其特征在于位于第一电极(11)和第二电极(12)之间有电解质(13)、染料敏化剂(14)及粘附形成在第二电极上的纳米晶半导体(15)，所述第二电极(12)由透明基底(121)及形成在透明基底上的导电层(122)构成，所述导电层(122)由绝缘沟道(1221)分割形成在绝缘沟道(1221)两侧的源极(1222)和漏极(1223)，所述纳米晶半导体(15)覆盖绝缘沟道(1221)、源极(1222)及漏极(1223)。 | ||
| 地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 | ||