| 主权项 |
一种用于时脉相位误差校正之方法，包含下列步骤：接收从两条时脉信号线进入具有一第一尺寸之一第一差动电晶体对的一差动时脉信号；接收从该等两条时脉信号线进入具有比该第一尺寸小之一尺寸的一第二差动电晶体对之该差动时脉信号；将该差动时脉信号转换为一单端时脉信号；藉由控制该第一差动电晶体对与该第二差动电晶体对间之互导来将任何差动时脉相位误差同步化；以及透过一反相器来输出该单端时脉信号。如申请专利范围第1项之方法，其中控制该第一差动电晶体对与该第二差动电晶体对间之该互导的步骤，包含控制流经该第一差动电晶体对之电流对照流经该第二差动电晶体对之电流的比率。如申请专利范围第1项之方法，其更包含下列步骤：动态监测该差动时脉相位误差；以及响应于所出现之时脉相位误差量，而增加或减少流经该第一差动电晶体对、该第二差动电晶体对、或该等第一及第二差动电晶体对之电流。如申请专利范围第3项之方法，其中增加或减少该电流之步骤更包含规划耦合至该第一差动电晶体对之一第一可规划电流源，以及规划耦合至该第二差动电晶体对之一第二可规划电流源。如申请专利范围第1项之方法，其中该第二差动电晶体对之尺寸比该第一差动电晶体对小2倍。如申请专利范围第1项之方法，其中该第二差动电晶体对之尺寸比该第一差动电晶体对小4倍。一种时脉缓冲器电路，包含：一相同尺寸之第一差动电晶体对，其用以接收一成对差动时脉信号、将该成对差动时脉信号转换为一单端时脉信号、以及输出该单端时脉信号；耦合至该第一差动电晶体对之一第一可规划电流源，其用以改变流经该第一差动电晶体对之电流；以及一相位校正器电路，用来：测量该输出单端时脉信号上之时脉相位误差；以及藉由控制该第一差动电晶体对及该第二差动电晶体对间之互导来把任何所测量到之时脉相位误差同步化。如申请专利范围第7项之时脉缓冲器电路，其更包含：一相同尺寸之第二差动电晶体对，其用以接收该成对差动时脉信号、将该成对差动时脉信号转换为该单端时脉信号、以及输出该单端时脉信号，其中该第二差动电晶体对中之该等电晶体的尺寸小于该第一差动电晶体对中之该等电晶体的尺寸；以及耦合至该第二差动电晶体对之一第二可规划电流源，其用以改变流经该第二差动电晶体对之电流。如申请专利范围第8项之时脉缓冲器电路，其更包含一反相器，用以接收来自该等第一及第二差动电晶体对之该单端时脉信号、将该单端时脉信号反转、以及输出经反转之该单端时脉信号。如申请专利范围第9项之时脉缓冲器电路，其中该第一可规划电流源另外耦合至一或更多可规划输入线，以规划允许流经该第一可规划电流源之电流总量，而该第二可规划电流源另外耦合至一或更多可规划输入线，以规划允许流经该第二可规划电流源之电流总量。如申请专利范围第10项之时脉缓冲器电路，其中流经该第一差动电晶体对之该电流、流经该第二差动电晶体对之该电流、或流经该等第一及第二差动电晶体对两者之该电流，会以传送至该等可规划输入线之资料来增加或减少，以加入一可调整延迟至该成对差动时脉信号来补偿任何时脉相位误差，而该反相器包含该时脉缓冲器电路之一部分。如申请专利范围第8项之时脉缓冲器电路，其中该等第一及第二差动电晶体对间之尺寸差异表示为该等电晶体之宽度上的差异，其中所有电晶体具有一相同长度。如申请专利范围第12项之时脉缓冲器电路，其中该第二差动电晶体对中之每一个电晶体的尺寸比该第一差动电晶体对中之每一个电晶体的尺寸小2倍。如申请专利范围第12项之时脉缓冲器电路，其中该第二差动电晶体对中之每一个电晶体的尺寸比该第一差动电晶体对中之每一个电晶体的尺寸小4倍。如申请专利范围第8项之时脉缓冲器电路，其中该接收之成对差动时脉信号更包含于0度、90度、180度、及270度等四个相位中分散时脉信号之一正交相位时脉信号。一种用于时脉相位误差校正之系统，其包含有：用以广播一成对差动时脉信号之一对传输线；一差动时脉发射器，其耦合至该成对传输线以产生一差动时脉信号之正向及负向信号；用以广播一单端时脉信号之一单一传输线；一时脉缓冲器电路，其耦合至该成对差动时脉传输线并耦合至该单端时脉传输线，且可操作来执行下列动作：接收从该等差动时脉传输线进入具有一第一尺寸之一第一差动电晶体对的该差动时脉信号；接收从该等差动时脉传输线进入具有比该第一尺寸小之一尺寸的一第二差动电晶体对之该差动时脉信号；将该差动时脉信号转换为一单端时脉信号；以及透过一反相器来将该单端时脉信号输出至该单端时脉传输线；以及一相位校正器单元，用来：测量该输出单端时脉信号上之时脉相位误差；以及藉由控制该第一差动电晶体对及该第二差动电晶体对间之互导来把任何所测量到之时脉相位误差同步化。如申请专利范围第16项之系统，其中控制该第一差动电晶体对及该第二差动电晶体对间之该互导的动作，包含控制流经该第一差动电晶体对之电流对照流经该第二差动电晶体对之电流的比率。如申请专利范围第16项之系统，其中该相位校正器单元更可操作来：动态监测该时脉相位误差；以及响应于任何给定时间出现之该时脉相位误差总量，而动态增加或减少流经该第一差动电晶体对、该第二差动电晶体对、或该等第一及第二差动电晶体对之电流。如申请专利范围第18项之系统，其中该相位校正器单元更可操作来规划耦合至该第一差动电晶体对之一第一可规划电流源，以及规划耦合至该第二差动电晶体对之一第二可规划电流源。 |
