发明名称 |
一种静电放电防护器件 |
摘要 |
本发明公开了一种静电放电防护器件,包括P型衬底,所述的P型衬底上设有P阱,P阱上设有从内向外同心环列的圆形或环形的第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第二P+注入区、第六N+注入区以及第三P+注入区;第二N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区依次紧挨,第五N+注入区、第二P+注入区和第六N+注入区依次紧挨,第六N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离;第一N+注入区和第二N+注入区之间、第三N+注入区和第四N+注入区之间以及第四N+注入区和第五N+注入区之间的P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。本发明ESD防护器件利用衬底触发环形栅NMOS管,能有效改善多叉指GGNMOS的导通均匀性,具有面积小,电流均匀的优点。 |
申请公布号 |
CN102034814A |
申请公布日期 |
2011.04.27 |
申请号 |
CN201010522615.2 |
申请日期 |
2010.10.28 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
马飞;韩雁;董树荣;宋波;苗萌;李明亮;吴健;郑剑锋 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
胡红娟 |
主权项 |
一种静电放电防护器件,包括P型衬底,所述的P型衬底上设有P阱,其特征在于:P阱上设有从内向外同心环列的圆形或环形的第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第二P+注入区、第六N+注入区以及第三P+注入区;第二N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区依次紧挨,第五N+注入区、第二P+注入区和第六N+注入区依次紧挨,第六N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离;第一N+注入区和第二N+注入区之间、第三N+注入区和第四N+注入区之间以及第四N+注入区和第五N+注入区之间的P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |