一种金属介质纳米结构发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种金属介质纳米结构LED及其制备方法，该金属介质纳米结构LED管芯的光出射层的厚度为10nm-100nm，在光出射层端面上覆有一层厚度为10nm-60nm的金属薄膜或制作有金属纳米结构，金属纳米结构是粒径在1nm-100nm的纳米颗粒的任意排布；其制备方法是在LED管芯制作电极前，在光出射端面形成金属薄膜或制作金属纳米结构，然后光刻制作电极，最后合金形成欧姆接触。本发明利用金属薄膜与有源区及光出射层端面的光波耦合作用，增强了LED的发光效率，通过金属表面等离子体激元与量子阱耦合增强量子阱的自发辐射率，增强光发射，可大幅度提高内量子效率；通过金属表面等离子体激元与出射光波耦合增强光出射，大幅度提高了光提取效率。

主权项

一种金属介质纳米结构LED，其特征是：该金属介质纳米结构LED管芯的光出射层的厚度为10nm‑100nm，在光出射层端面上覆有一层厚度为10nm‑60nm的金属薄膜或制作有金属纳米结构，金属纳米结构是粒径在1nm‑100nm的纳米颗粒的任意排布。