非易失性存储单元及非易失性存储器的布局

摘要

本发明公开了一种非易失性存储单元及非易失性存储器的布局。在非易失性存储单元中，半导体基底中配置有隔离结构，以区隔出晶体管区与电容器区，且电容器区内配置有第一型掺杂阱。导体跨置于隔离结构、晶体管区与第一型掺杂阱上方。导体包括位于第一型掺杂阱上方的电容部，以及位于晶体管区上方的晶体管部。导体具有彼此相对的第一侧缘与第二侧缘，且第一侧缘位于晶体管区一侧的隔离结构上方，第二侧缘位于第一型掺杂阱上方。另外，两个第一离子掺杂区分别设置于晶体管部两侧的晶体管区中，其与晶体管部构成晶体管。第二离子掺杂区设置于导体遮蔽外的电容器区中，其与电容部构成电容器。根据本发明，可降低漏电流。

主权项

一种非易失性存储单元，包括：半导体基底；多个隔离结构，配置于该半导体基底中，以将该半导体基底区隔为晶体管区与电容器区；第一型掺杂阱，配置于该电容器区内；导体，跨置于所述多个隔离结构、该晶体管区与该第一型掺杂阱上方，该导体包括电容部与晶体管部并具有彼此相对的第一侧缘与第二侧缘，其中该电容部位于该第一型掺杂阱上方，该晶体管部位于该晶体管区上方，且该第一侧缘位于该晶体管区一侧的该隔离结构上方，该第二侧缘位于该第一型掺杂阱上方；两个第一离子掺杂区，分别设置于该晶体管部两侧的该晶体管区中，而与该导体的该晶体管部构成晶体管；以及第二离子掺杂区，设置于该导体一侧的该第一型掺杂阱中，而与该导体的该电容部构成电容器。