发明名称 用于半导体晶片处理的光腔炉
摘要 一种光腔炉(10),其具有与炉的光腔(18)相关联的多个光能量源(12)。所述多个光能量源(12)可以是灯或适用于产生适当级光能的其他装置。光腔炉(10)也可包括与光能量源(12)相关联的一个或多个反射器(14)和一个或多个壁(16),以使得反射器(14)和壁(16)限定光腔(18)。壁(16)可具有任何期望构造或形状,以增强炉作为光腔(18)的操作。光能量源(12)可相对于限定光腔的反射器(14)和壁设置在任何位置。光腔炉(10)可进一步包括用于输送一个或多个半导体晶片(20)通过光腔的半导体晶片输送系统(22)。
申请公布号 CN102027581A 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200980108644.X 申请日期 2009.03.12
申请人 可持续能源联盟有限责任公司 发明人 B·L·索波里
分类号 H01L21/324(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/324(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 王永建
主权项 一种光腔炉,其包括:多个光能量源;与所述光能量源相关联的一个或多个反射器;与所述光能量源相关联的一个或多个壁,其中所述壁和反射器限定光腔,且所述光能量源与所述光腔相关联;以及半导体晶片输送系统,其用于输送半导体晶片通过所述光腔。
地址 美国科罗拉多