| 发明名称 | 半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种在研磨过程中保护膜上不产生裂痕的半导体装置的制造方法、以及保护膜上没有裂痕的半导体晶片以及半导体装置。在半导体晶片(1)表面的芯片区域(2)的各芯片(3)以及外周的无效区域的各区域的各无效芯片图形上分别形成分割为多个的保护膜(10)，隔着膜倒置地将半导体晶片(1)载置在载物台上，并对背面进行研磨。 | ||
| 申请公布号 | CN101145521B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200710101281.X | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 保利幸隆 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 浦柏明;陈景峻 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在半导体晶片的形成有多个芯片的芯片区域和该芯片区域外周的无效区域的表面上形成以如下方式被分割的多个保护膜，即：至少在所述无效区域，各被分割的保护膜的面积比所述芯片小，在载物台上隔着膜倒置地载置所述半导体晶片，对所述半导体晶片的背面进行研磨。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||