发明名称 |
超声波探头及其制造方法和超声波诊断装置 |
摘要 |
本发明涉及超声波探头及其制造方法和超声波诊断装置。本发明的超声波探头包括:cMUT芯片,其具有根据偏置电压而使电气机械耦合系数或者灵敏度变化的多个振动单元,用于发送接收超声波;导电层,其被成膜在所述cMUT芯片的超声波放射侧;声透镜,其被配置在所述cMUT芯片的超声波放射侧;绝缘层,其被成膜在所述声透镜的超声波放射侧的相反方向上;以及框体部,其收纳通过粘结剂将所述导电层和所述绝缘层粘结的所述cMUT芯片和所述声透镜,所述绝缘层,包括硅氧化物或者对二甲苯的至少一种,并且由用于防止所述粘结剂的溶剂向所述粘结剂部分浸透的材质形成。 |
申请公布号 |
CN102026581A |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200980117559.X |
申请日期 |
2009.05.13 |
申请人 |
株式会社日立医疗器械 |
发明人 |
佐野秀造;吉村保广;永田达也;深田慎;佐光晓史 |
分类号 |
A61B8/00(2006.01)I;H04R19/00(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
A61B8/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
朱丹 |
主权项 |
一种超声波探头,包括:cMUT芯片,其具有根据偏置电压而使电气机械耦合系数或者灵敏度变化的多个振动单元,并发送接收超声波;导电层,其被成膜在所述cMUT芯片的超声波放射侧;声透镜,其被配置在所述cMUT芯片的超声波放射侧;绝缘层,其被成膜在所述声透镜的超声波放射侧的相反方向上;以及框体部,其收纳通过粘结剂将所述导电层和所述绝缘层粘结的所述cMUT芯片以及所述声透镜,所述超声波探头的特征在于,所述绝缘层,包含硅氧化物或者对二甲苯的至少一种,并且由用于防止所述粘结剂的溶剂向所述粘结剂部分浸透的材质形成。 |
地址 |
日本东京都 |