主权项 |
一种GaAs基MOS器件的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)衬底清洗:将GaAs衬底依次用丙酮、乙醇、异丙醇超声清洗3~10 分钟,去除GaAs衬底表面的油污,再用HCl 水溶液浸泡3~5 分钟,去除表面的自然氧化层;2)衬底钝化:将清洗好的GaAs衬底,用8~40% 体积比的(NH4)2S 水溶液浸泡10~40分钟,使GaAs表面形成Ga‑S以及As‑S键,进一步去除多余的As单质和As的氧化物;3)MOCVD沉积薄层Gd2O3 控制层工艺:将钝化好的GaAs衬底立即放入MOCVD反应室中,沉积Gd2O3薄层 ,薄层厚度为1~3nm,沉积温度为500 °C,采用的金属源为四甲基庚二酮钆:Gd(DPM)3 [DPM=tris(2,2,6,6‑tetramethyl‑3‑5‑heptanedionato)];4)ALD沉积high‑k栅介质层工艺:将步骤3)处理后的GaAs衬底放入ALD反应室中,进行high‑k栅介质层的沉积,设定的ALD沉积参数为:反应室温度:250~350 ℃;反应源:沉积ZrO2采用ZrCl4 和 H2O反应,ZrCl4源温为180~200℃;沉积Al2O3采用 Al(CH3)3和H2O反应,Al(CH3)3源温为室温;沉积HfO2采用 HfCl4和H2O反应, HfCl4源温为180~200℃;脉冲和清洗时间:金属源和水源的脉冲都为0.1~0.4 s,根据所要沉积介质层厚度选择脉冲次数,每次源脉冲之后,都紧接着用高纯氮气清洗1~10 s,冲掉反应副产物和残留的源;退火:将沉积薄膜后的GaAs衬底放于快速退火炉中,在N2保护下,于400~600℃快速退火 20~60 s至室温,即得到GaAs基MOS器件。 |