| 发明名称 | 用于将多个晶片放置在垂直式加热炉中的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于将多个晶片放置在垂直式加热炉中的方法，所述方法将所述多个晶片以晶背一侧向上、而生长有半导体器件的晶面一侧向下的方式依次设置在所述垂直式加热炉中。根据本发明的方法还包括将所述多个晶片以晶背一侧向上、而生长有半导体器件的晶面一侧向下的方式依次设置在晶舟的各个晶片支架中；以及将所述晶舟以直立方式设置在所述垂直式加热炉中。通过本发明的这种多个晶片的设置方式，解决了现有技术的晶片加热过程中晶片上掉落的杂质造成下方晶片污染的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102024673A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910196267.1 | 申请日期 | 2009.09.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 高剑鸣 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;F27D3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种用于将多个晶片放置在垂直式加热炉中的方法，其特征在于，将所述多个晶片以晶背一侧向上、而生长有半导体器件的晶面一侧向下的方式依次设置在所述垂直式加热炉中。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||