| 发明名称 | 一种减少穿通时间的可控硅结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种减少穿通时间的可控硅结构，包括阴极区、P-短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述台面槽内覆有玻璃钝化层，所述硼穿通扩散区设于长基区的左右两侧，其特征是所述每个硼穿通扩散区的上下两角均开有穿通槽，所述穿通槽的深度为10-20μm。本实用新型为减少穿通时间，采用挖槽的形式对穿通环部分厚度进行减薄，形成穿通槽，使得实际需要穿通的厚度等于或小于230微米，使得穿通时间小于180小时，达到或低于常规稳定工艺条件。 | ||
| 申请公布号 | CN201804873U | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN201020240872.2 | 申请日期 | 2010.06.28 |
| 申请人 | 启东吉莱电子有限公司 | 发明人 | 耿开远;周健;朱法扬 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人 | 卢海洋 |
| 主权项 | 一种减少穿通时间的可控硅结构，包括阴极区、P 短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述台面槽内覆有玻璃钝化层，所述硼穿通扩散区设于长基区的左右两侧，其特征是所述每个硼穿通扩散区的上下两角均开有穿通槽，所述穿通槽的深度为10 20μm。 | ||
| 地址 | 226224 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 | ||