光调制热成像焦平面阵列的制作方法

摘要

本发明是关于一种光调制热成像焦平面阵列的制作方法，包括如下步骤：步骤1、在单晶硅片上表面制造掺杂层；步骤2、按照预设图案，在单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤3、在沟槽内壁覆盖氧化硅层；步骤4、生长非晶硅填满沟槽；步骤5、在单晶硅片上表面覆盖薄膜层A；步骤6、在薄膜层A上覆盖金属层；步骤7、按照预设图案，刻蚀金属层；步骤8、按照预设图案，刻蚀薄膜层A；步骤9、按照预设图案，从硅片背面腐蚀单晶硅；步骤10、按预设图案，腐蚀掺杂层，得到带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列。

主权项

一种光调制热成像焦平面阵列的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在单晶硅片上表面制造掺杂层；步骤2、按照预设图案，在单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤3、在沟槽内壁覆盖氧化硅层；步骤4、生长非晶硅填满沟槽；步骤5、在单晶硅片上表面覆盖薄膜层A，在单晶硅片下表面覆盖薄膜层B；步骤6、在薄膜层A上覆盖金属层；步骤7、按照预设图案，刻蚀部分金属层；步骤8、按照预设图案，刻蚀部分薄膜层A；步骤9、按照预设图案，从硅片背面腐蚀单晶硅；按照预设图案，刻蚀薄膜层B；步骤10、按预设图案，腐蚀掺杂层，得到带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列。