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dnung mit einem Zustandsspeicherelement einen ersten Anschluss (A1) zum Verbinden mit einer Bitleitung (BL) einer nichtflüchtigen Speicherzelle, einen zweiten Anschluss (A2), der über einen ersten schaltbaren Pfad (P1) mit einem Bezugspotentialanschluss (VSS) und über einen zweiten schaltbaren Pfad (P2) mit einem Versorgungspotentialanschluss (VPP) verbunden ist, und das Zustandsspeicherelement (100, 110), das mit dem zweiten Anschluss (A2) gekoppelt und zum Speichern eines Potentials am zweiten Anschluss (A2) ausgelegt ist, auf. Der erste Anschluss (A1) ist über eine erste schaltbare Verbindung (L1) und über eine zweite schaltbare Verbindung (L2) mit dem zweiten Anschluss (A2) gekoppelt. Des Weiteren ist ein Verfahren zum Betreiben eines Zustandsspeicherelements angegeben.
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