| 发明名称 | EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模 | ||
| 摘要 | 本发明提供掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制、特别是掩模图案外缘的边界部的反射光的对比度的下降得到抑制的EUV掩模及该EUV掩模的制造中使用的EUV掩模基板。本发明是一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，在所述衬底上的至少一部分，在图案形成时除去所述吸收体层的部位和与除去所述吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。 | ||
| 申请公布号 | CN102016717A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980114736.9 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 木下健 |
| 分类号 | G03F1/16(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 刘多益;胡烨 |
| 主权项 | 一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，在所述衬底上的至少一部分，在图案形成时除去所述吸收体层的部位和与除去所述吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||